应用：
用于半导体制造过程中硅片表面及背面的超微量金属/非金属污染分析。
适合生产线量产过程的污染监控、工艺开发及材料评价。
用于半导体制造过程中硅片表面及背面的超微量金属/非金属污染分析。
适合生产线量产过程的污染监控、工艺开发及材料评价。
可对轻元素 Na 至重元素 U 进行非破坏、非接触式超微量分析。
提供 Sweeping-TXRF 面内高速污染分布测量、ZEE-TXRF 边缘区域检测、BAC-TXRF 背面自动检测等功能。
TXRF-V310 机型独有内置 VPD 全自动前处理功能，实现更高灵敏度（遷移金属 LLD 可至 10⁶ atoms/cm²）。
高灵敏度与高通量：利用单色化 X 射线及直入射 TXRF 测定方式，实现极低检出限并缩短测量时间。
高精度与高可靠性：自动消除衬底回折干扰，实现全晶圆面精确分析；可与异物检测装置坐标联动进行污染元素定位。
灵活性：支持 200mm / 300mm 晶圆，兼容标准 FOUP/SMIF 及 AMHS，支持 SECS/GEM 协议对接 CIM/FA 系统。
自动化：具备晶圆反转机器人、点滴痕快速搜索算法（SDSA），实现无人化高效测量。
半导体制造（前道/后道工序污染控制）。
半导体研发与材料科学研究。
晶圆厂工艺监控及良率提升。
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