设备简介：
◆ KLA Candela®8520表面缺陷及EPI外延缺陷检测设备是针对化合物半导体行业（Si硅片及SiC基片及SiC外延片）的缺陷检查分析设备。该设备利用激光扫描样品的整个表面，通过多组频道（散射光频道、反射光频道、相移频道及Z频道）的探测器所收集到的信号，快速的将缺陷（包括微粒、划伤、坑点、污染、痕迹等）进行分类，统计每一种缺陷的数量并且量测出相应的缺陷尺寸，后给出整个表面的缺陷分布图以及检测报告。根据预先设定的标准，可以给出检测样品合格与否的判断。同时可以添加的PL功能可以针对化合物外延材料进行高精度的外延缺陷检测，在化合物外延领域拥有很高的市场占有率。
◆ 适用于Si晶圆，SiC基片及SiC外延片表面缺陷及EPI外延缺陷的检测分析，包含微粒、划伤、坑点、污染、痕迹，同时也可以添加PL功能用以检测某些GaN EPI缺陷及SiC EPI缺陷。该设备可以兼容透明片和不透明片。
