Zeta-20台式光学轮廓仪是非接触式3D表面形貌测量系统。 该系统采用ZDot™和Multi-Mode (多模式)光学系统，可以对各种不同的样品进行测量：透明和不透明、由低至高的反射率、由光滑至粗糙的纹理，以及纳米至毫米级别的台阶高度。

Zeta-20的配置灵活并易于使用，并集合了六种不同的光学量测技术。ZDot™测量模式可同时采集高分辨率3D数据和True Color（真彩）无限远焦点图像。其他3D测量技术包括白光干涉测量、Nomarski干涉对比显微镜和剪切干涉测量。 ZDot或集成宽带反射仪都可以对薄膜厚度进行测量。 Zeta-20也是一种高端显微镜，可用于样品复检或自动缺陷检测。 Zeta-20通过提供全面的台阶高度、粗糙度和薄膜厚度的测量以及缺陷检测功能，适用于研发及生产环境。

采用ZDot和Multi-Mode（多模式）光学器件的简单易用的光学轮廓仪，具有广泛的应用

可用于样品复检或缺陷检测的高质量显微镜

ZDot：同时采集高分辨率3D数据和True Color（真彩）无限远焦点图像

ZXI：白光干涉测量技术，适用于z向分辨率高的广域测量

ZIC：干涉对比度，适用于亚纳米级别粗糙度的表面并提供其3D定量数据

ZSI：剪切干涉测量技术提供z向高分辨率图像

ZFT：使用集成宽带反射计测量膜厚度和反射率

AOI：自动光学检测，并对样品上的缺陷进行量化

生产能力：通过测序和图案识别实现全自动测量

台阶高度：纳米到毫米级别的3D台阶高度

纹理：平滑到非常粗糙表面的粗糙度和波纹度

外形：3D翘曲和形状

应力：2D薄膜应力

薄膜厚度：30nm到100μm透明薄膜厚度

缺陷检测：捕获大于1μm的缺陷

缺陷复检：采用KLARF文件作为导航以测量缺陷的3D表面形貌或切割道缺陷位置

太阳能：光伏太阳能电池

半导体和化合物半导体

半导体 WLCSP（晶圆级芯片级封装）

半导体FOWLP（扇出晶圆级封装）

PCB和柔性PCB

MEMS（微机电系统）

医疗设备和微流体设备

数据存储

大学，研究实验室和研究所

Zeta-20可以提供纳米级到毫米级的3D非接触式台阶高度测量。ZDot和Multi-Mode（多模式）光学器件提供了一系列测量台阶高度的方法。主要的测量技术是ZDot，可以快速测量从几十纳米到几毫米的台阶高度。 ZXI干涉测量技术可以在大范围面积上对台阶高度进行纳米级到毫米级的测量。 ZSI剪切干涉测量技术可用于测量小于80nm的台阶高度。

Zeta-20可以利用ZDot或ZFT测量技术对透明薄膜进行厚度测量。ZDot适用于测量大于10μm的透明薄膜，例如在折射率较高的基板上涂覆的光阻或微流体器件层。ZFT则采用集成宽带反射仪适用于测量30nm至100μm的薄膜。这既适用于单层薄膜也适用于多层薄膜堆叠，用户可以输入薄膜属性或者采用模型针对色谱进行匹配。

Zeta-20可以对3D纹理进行测量，并对样品的粗糙度和波纹度进行量化。ZDot可测量从几十纳米到非常粗糙表面的粗糙度。 ZSI和干涉测量技术可以测量从埃级到微米级的光滑表面。软件过滤功能将测量值分离为粗糙度和波纹度部分，并计算诸如均方根（RMS）粗糙度之类的参数。 Nomarski干涉对比度显微镜可以通过发现斜率的微小变化对非常精细的表面细节进行可视化。

Zeta-20可以测量表面的2D和3D的形状或翘曲。这包括对晶圆翘曲的测量，例如半导体或化合物半导体器件生产中的多层沉积期间由于层与层的不匹配是导致这种翘曲的原因。Zeta-20还可以量化包括透镜在内的结构高度和曲率半径。

Zeta-20能够测量在生产过程中，包含多个工艺层的半导体或化合物半导体等器件期间所产生的应力。 使用应力卡盘将样品支撑在中性位置并精确测量样品翘曲。然后通过应用Stoney方程，利用诸如薄膜沉积工艺的形状变化来计算应力。 Zeta-20采用用户定义的间隔，并沿着样品直径采集样品表面的高度，然后将数据汇总并绘制样品形状轮廓，并以此测量2D应力。

Zeta-20的自动光学检测（AOI）功能可以快速检测样品、区分不同的缺陷类型，并绘制样品的缺陷密度分布。Zeta-20结合了3D测量功能，可以提供2D检测系统无法获得的缺陷信息，从而可以更快找到缺陷根源。

Zeta-20的缺陷复查功能采用检测设备的KLARF文件，并将平台移动到缺陷位置。 用户可以使用高质量的显微镜对缺陷进行检测或者对其高度、厚度或纹理等形貌进行测量。 这提供了2D缺陷检测系统无法获得的额外的缺陷细节。 Zeta-20还可以对缺陷做划线标记，从而更容易在如SEM复检设备等视野有限的设备中找到这些缺陷。

Zeta-20光学轮廓仪对于太阳能电池应用非常适合，针对电池表面反射率极低和极高的材料进行测量。 该系统可以量化对于太阳能电池的光捕获能力至关重要的蚀刻后纹理 – 具有金字塔结构并且反射不到1％的入射光。 紧邻纹理的是银胶接触线，其反射率大于90％。Zeta-20所配有的ZDot功能的测量动态范围很高，可以同时测量反射率极高和极低的区域，并且量化银胶线高度、宽度和对电线电阻起决定作用的沉积银体积。 此外，Zeta-20还用于测量入厂晶圆的粗糙度、使用ZFT测量氮化物膜厚度、隔离沟槽深度，以及样品的翘曲度、应力和3D缺陷。

Zeta-20支持晶圆级芯片级封装（WLCSP）和扇出晶圆级封装（FOWLP）的量测要求。关键的应用技术是该系统能够在干光刻胶薄膜完好无损的情况下对镀铜的高度做出测量。这是透过透明的光刻胶对种子层进行测量，通过测量铜柱的高度、光刻胶的厚度以及铜柱和光刻胶的相对高度差来实现的。其他应用包括再分布线（RDL），凸块下金属化（UBM）高度和纹理、光刻胶开口关键尺寸（CD）、光刻胶厚度和聚酰亚胺厚度的测量。 还可以测量金属触点的共面性以确定凸块高度是否满足终的器件封装连接要求。

Zeta-20的动态范围很大，这使得该系统无需改变配置就可以对表面粗糙度和台阶高度进行从纳米级到毫米级的测量。它可以测量像铜之类的高反射率薄膜以及PCB上常见的透明薄膜。 Zeta-20支持针对盲孔（的高度和宽度）、线迹和热棒，以及表面粗糙度等关键尺寸的测量。

Zeta-20可以测量在激光表面处理后对半导体、LED、微流体器件、PCB等引起的形貌变化。激光已在半导体、LED和生物医学设备等行业中被用于精密尺度微加工和表面处理。 对于半导体工业，测量晶圆ID标记的高度和宽度至关重要，这确保其在多个不同的工艺步骤中可以被成功读取。Zeta-20可通过柔性电路和晶圆上的孔测量高纵横比的台阶高度。它还可以测量太阳能电池隔离沟槽的深度和宽度从而提高器件效率。

Zeta-20能够测量由硅、玻璃和高分子等材料制成的微流体装置。该系统可以对通道、井和控制结构的高度、宽度、边缘轮廓和纹理进行量化。Zeta-20还可以在透明顶盖板密封后对终设备进行测量 – 对折射率的变化进行补偿并且对使用盖板引起的的应力变化进行量化。

Zeta-20非常适用于生物技术应用，可以针对各种样品表面的纳米级到毫米级特征为其提供非接触式测量。Zeta-20可以用于测量生物技术设备中的深井深度之类的高纵横比台阶。 此外，利用其高数值孔径物镜和分辨反射率极低样品的能力，该系统还可以测量药物输送的微针阵列结构。

Zeta-20 CM专用于测量磁盘边缘几何形状并对磁盘上的污染或损坏进行检测。在磁盘的边缘，顶面和侧壁之间的过渡必须是平滑倒角，否则磁盘边缘湍流可能导致读写磁头在磁盘上的致命碰撞。该系统配置包括可倾斜平台，在边缘测量和检测期间对磁盘进行旋转。

Zeta-20 Optical Profiler 选项可供选择，配合您的新产品，或后续使用。 

Zeta-20配有集成宽带光谱仪，可用于测量 30纳米至100微米的透明薄膜厚度。用户可以从材料数据库中选取的折射率值，该系统能够测量单层或多层堆叠膜厚度。并且可以绘制整片样品上的薄膜厚度分布用以确定样品的均匀性。

ZFT适用于一些反射率极低（例如反射率小于0.1%）的表面。许多薄膜厚度仪器依赖镜面反射光来计算相变或其他参数，因此难以从这些类型的表面获得信号。而该系统采用宽带白光和垂直入射照明并因此适用于各种反射率低的光学透明薄膜。

当与压电平台和干涉物镜结合使用时，Zeta-20支持相位扫描干涉测量技术（PSI）和垂直扫描干涉测量技术（VSI）。PSI可以快速测量从埃级到几百纳米的台阶高度。VSI则可以测量从几百纳米到几百微米的台阶高度。两者都可以优于纳米级分辨率，并且与物镜的数值孔径无关。

Zeta-20利用Nomarski差分干涉对比显微镜可以提供精细表面细节的增强成像。 Nomarski显微镜使用偏振和棱镜来改变相位，以增强样品表面上的斜率变化。 这样可以对超光滑表面上的缺陷（如单层污染物）进行可视化。 ZIC扫描模式将斜率的变化与另一种技术测量的粗糙度相关联，并将这些图像转换为亚纳米级粗糙度的定量测量。

Zeta-20剪切干涉仪测量技术（ZSI）采用增加相位变化来增强ZIC测量。 通过收集多个不同相位的图像，然后采用高级算法进行处理以完成具有埃级分辨率的表面形貌的定量测量。 该技术不需要干涉物镜，也没有Z平台扫描，从而可以实现从埃级到80nm的高分辨率测量。