仪器简介：
◆配置：2”~8” 手动 / 半自动 / 全自动单腔(片盒对片盒) /全自动多腔(片盒对片盒)
◆领域 : 化合物半导体、光通信器件、硅光器件等产业
◆制程 : IBE离子束刻蚀
◆配置：2”~8” 手动 / 半自动 / 全自动单腔(片盒对片盒) /全自动多腔(片盒对片盒)
◆领域 : 化合物半导体、光通信器件、硅光器件等产业
◆制程 : IBE离子束刻蚀
◆ Plasma-Therm公司有将近40年研发及制造刻蚀设备的历史
◆ Plasma-Therm IBE离子数刻蚀设备具有高稳定性与高可靠度（经受大规模量产客户的检验）
◆ Plasma-Therm自有的软硬件设计及完善QC系统
◆ Plasma-Therm设备配置灵活，包含手动、半自动、全自动(片盒对片盒)型号满足
◆ Plasma-Therm设备在相关产业占有率较高
◆ Plasma-Therm IBE离子束刻蚀设备：
极佳的片内均匀性控制
设备的高度稳定性及一致性
片间均匀性 ≤ 1%
两次故障之间的时间间隔MTBF ≥ 1500小时
侧壁的角度（垂直或者斜向）和粗糙度控制技术
超长的平均开腔时间间隔（独有的栅网grid技术）
◆Plasma-Therm连续15年被VLSI评为10 Best设备供应商
◆Plasma-Therm在全国12个城市有技术服务的办公室，可以提供24销售*7天的设备
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